• 专利基本信息
  • 实用 2023232236205 一种N型碳化硅单晶生长用坩埚 2024

    已下证 1人

    C30B23/00 C30B29/36

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    • 专利摘要

    本实用新型提供一种N型碳化硅单晶生长用坩埚,包括:导电头、盖体以及下螺纹槽,所述导电头下端设有感应加热座,所述感应加热座内侧设有保温内层,所述保温内层内侧设有石墨体,所述石墨体内侧下端设有下螺纹槽,所述石墨体内侧上端设有上螺纹槽,所述下螺纹槽内侧设有下螺纹座,所述下螺纹座内侧设有放置腔,与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:通过使用感应加热座,能够对石墨体进行感应加热,通过使用限位挡座与底座,能够对感应加热座保持夹持,从而使石墨体能够完全均匀受热,通过使用上螺纹座以及下螺纹座,能够与石墨体进行快速连接或分离。

    • 专利生命周期
    专利申请:2023-11-24
    专利授权日:2024-09-03 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-25