• 专利基本信息
  • 发明 2018101582332 一种低反射率单晶硅片的制绒方法 2020

    已下证 2人

    C30B33/10

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    • 12-16
    • 08-16

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    • 专利摘要

    本发明涉及单晶硅片制备领域,公开了一种低反射率单晶硅片的制绒方法,包括:1)将壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3‑甲氧基‑3‑甲基‑1‑丁醇、苯氧乙醇溶解到水中,混合均匀;2)将制绒添加剂加到碱溶液中,混合均匀;3)将单晶硅片置入制绒液中进行制绒。本发明采用壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3‑甲氧基‑3‑甲基‑1‑丁醇、苯氧乙醇等作为制绒添加剂原料,组分绿色环保,制绒时间短,制绒后所获得的单晶硅片上四面方锥体均匀,硅片反射率低。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-02-25
    专利授权日:2020-11-20 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24