• 专利基本信息
  • 发明 2019104600233 以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜及其制备方法 2022

    已下证 薄膜材料 电极薄膜 电子电力薄膜材料 导电薄膜 电路薄膜 3人

    C01G51/00 C04B41/89

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    • 12-19
    • 12-05
    • 08-26

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    • 专利摘要

    以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜,包括以下组分:Bi(NO3)2·5H2O、Co(NO3)2·6H2O、钛酸丁酯、乙二醇甲醚、乙酰丙酮;制备方法的步骤为:以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶胶为前驱体,在以c轴取向LaNiO3为缓冲层的Si基底上制备Bi4Ti2.95Co0.05O12凝胶薄膜,随后经干燥、热处理,制备具有c轴取向性的Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜;具有优异的导电性、可取代铂和金等贵金属作为Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜电性能测试的底电极的特点。

    • 专利生命周期
    专利申请:2019-05-30
    授权缴费截止日:2025-06-30
    专利授权日:2022-04-12 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-25