• 专利基本信息
  • 发明 201510149581X 一种沿(040)晶面取向生长的 BiVO4薄膜的制备方法 2017

    已下证 高校未变 光伏 能源 太阳能 新材料 2人

    C03C17/22 C04B41/50

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    • 专利摘要

    本发明提供一种沿(040)晶面取向生长的BiVO4薄膜的制备方法,将五水硝酸铋和钒酸氨溶于水中,以稀硝酸调节pH值,以柠檬酸为络合剂,制成前驱液,将基板在紫外光照射下进行功能化处理,使基板表面形成羟基层,再将功能化的基板悬浮于前驱液表面,羟基与‑[C6H2O7BiVO3]n‑进行缩聚反应在基板表面异相成核,液相自组装诱导生长制备出非晶态‑O‑[C6HO6BiVO3]n‑前驱薄膜,再经干燥、退火,制得晶化的BiVO4薄膜。本发明工艺简单,实验条件要求较低,工艺过程易控制。该方法是对液相自组装技术的成功应用,将本发明的方法应用于BiVO4薄膜的制备,在光催化领域具有广阔的应用前景。

    • 专利生命周期
    专利申请:2015-03-31
    授权缴费截止日:2025-04-30
    专利授权日:2017-08-11 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24