• 专利基本信息
  • 发明 2020103157217 薄膜电池的制备方法及薄膜电池 2022

    已下证 电池类 2人

    H01L31/18 H01L31/046 H01L31/0463 H01L31/054

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    • 12-16
    • 12-05

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    • 专利摘要

    公开了一种薄膜电池的制备方法及薄膜电池,方法包括干式蚀刻硅晶片形成多个微电池图案阵列,局部化硼掺杂和磷掺杂所述微电池图案阵列,转移层无间隙接触所述微电池阵列以从硅晶片分离所述微电池阵列,转移层将微电池阵列转移到聚酰胺层,然后剥离所述转移层,在聚酰胺层上喷墨印刷高度与微电池高度一致的导电层使得所述导电层邻接所述微电池阵列且形成电互联,层压形成柔性背板,在导电层上以微电池为中心套准印刷预定间距和预定高度的支承层,在微电池和两侧的支承层上间隙涂布透明的硅树脂粘合剂,球形透镜经由所述硅树脂粘合剂相对于微电池对准固定,涂布甲基丙烯酸甲酯层以覆盖所述球形透镜、支承层和导电层。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-11-15
    专利授权日:2022-08-26 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24