• 专利基本信息
  • 发明 2021109067524 一种用于太阳能电池的薄膜、太阳能电池及其制备方法 2022

    已下证 光伏材料 太阳能电池 光伏材料/太阳能电池 2人

    H01L31/032 H01L31/042 H01L31/18

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    • 专利摘要

    一种用于太阳能电池的薄膜,其成分的化学表达为AgInxSbS(2+3x/2)(Se),其中x=0.25~1.0;本发明中AgInxSbS(2+3x/2)(Se)薄膜纯度高,结晶度好、晶粒尺寸大,孔洞、缝隙等缺陷少,本发明方法降低了Se对薄膜结构损害,制备的薄膜致密性、均匀性优异,以该薄膜作为吸收层的ITO/CdS/AgInxSbS(2+3x/2)(Se)/Au太阳能电池具有优异的电性能,Jsc达到20.65mA cm‑2,FF达到42.8%,PEC达到最大值为1.98%,EQE达到70%;均有优异的稳定性。

    • 专利生命周期
    专利申请:2021-08-09
    授权缴费截止日:2024-09-09
    专利授权日:2022-10-18 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24