发明 201610890214X 一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法 2020
已下证 采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 2人
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本发明提供了一种(012)晶面择优取向的Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法。以硝酸盐和醋酸锰等为原料，乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂制备前驱液，再在FTO基板上采用旋涂和逐层退火工艺制备Bi1‑xYbxFe0.98Mn0.02O3薄膜。制得的薄膜沿(012)晶面择优取向生长，其漏电流密度相比纯BFO薄膜减小了2～3个数量级，显著降低了BFO薄膜的漏电流密度，改善了BFO薄膜的铁电性能。本发明采用溶胶‑凝胶法制备薄膜，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，制备的薄膜均匀性较好，且化学组分精确可控。通过离子掺杂，有效地提高了薄膜的铁电和铁磁性能。
