• 专利基本信息
  • 发明 2017102543203 一种HoSrMnNi共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 2019

    已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人

    C03C17/25 C04B35/26 C04B35/622

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    • 专利摘要

    本发明提供了一种HoSrMnNi共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法,用晶体结构为三方结构,空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.96Mn0.03Ni0.01O3/Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Ni0.02O3超晶格薄膜,即HoSrMnNi共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,并采用旋涂和层层退火法,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控,可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。

    • 专利生命周期
    专利申请:2017-04-18
    授权缴费截止日:2025-05-19
    专利授权日:2019-05-17 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24