发明 2017102539091 一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 2019
已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人
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本发明提供了一种GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.97‑xGdxSr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3多铁薄膜，即GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能，制得的GdSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，并具有随外加电压变化的铁电稳定性。
