发明 2017102559837 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 2020
已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 3人
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本发明提供了一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97‑xMn0.03ZnxO3多铁薄膜，即HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，制得的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，改善了BiFeO3薄膜的多铁性能。
