发明 2017102543260 一种HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 2019
已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人
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本发明提供了一种HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，用晶体结构为三方结构，空间群为R3c:H和R3m:R共存的不同元素掺杂的铁酸铋薄膜制备出Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.94Mn0.03Ni0.03O3/Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.93Mn0.03Ni0.04O3超晶格薄膜，即HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，可改善BiFeO3薄膜的多铁性能。
