• 专利基本信息
  • 发明 2018114966769 一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法 2021

    已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 3人

    C03C17/34

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    • 专利摘要

    本发明提供一种BGSFMC/CNFO多铁性复合薄膜及其制备方法,包括复合在一起的上层膜和底层膜;上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,多晶扭曲钙钛矿结构,空间群为R3c;底层膜的化学式为Co1‑xNixFe2O4,立方反尖晶石结构,空间群Fd3m,其中,x=0.1~0.5。本发明上层和下层薄膜中都存在Co元素,Co扩散受到抑制,Gd、Sr、Mn元素会向下层扩散,BGSFMC薄膜的结构发生畸变,增强反铁磁(AFM)/铁磁(FM)结,使铁磁性能提高,Ni元素会向上层BGSFMC扩散,增强反铁磁‑铁电结,使铁电性能提高。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-12-07
    授权缴费截止日:2025-01-07
    专利授权日:2021-07-27 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24