• 专利基本信息
  • 发明 2018106720339 一种CoFe2-xGdxO4铁磁性薄膜及其制备方法 2021

    已下证 采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 3人

    C03C17/23

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    • 专利摘要

    本发明一种CoFe2‑xGdxO4铁磁性薄膜及其制备方法,x=0.02~0.18。制备方法包括:步骤1,按摩尔比为1:(2‑x):x将硝酸钴、硝酸铁和硝酸钆溶于乙二醇甲醚中,搅拌均匀后加入醋酸酐,继续搅拌均匀,得到前驱液;步骤2,将前驱液旋涂在FTO/glass基片上,得到湿膜,湿膜经匀胶后在170~190℃下烘烤得干膜,再于620~640℃下在空气中退火,得到晶态CoFe2‑xGdxO4薄膜;步骤3,将晶态CoFe2‑xGdxO4薄膜冷却至室温,重复步骤2直到达到预设的厚度,即得到CoFe2‑xGdxO4铁磁性薄膜。Gd3+离子的掺入主要是替代了晶格中的Fe3+离子,提高了铁磁性能。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-06-26
    授权缴费截止日:2024-07-26
    专利授权日:2021-08-17 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24