• 专利基本信息
  • 发明 2016101882963 一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法 2017

    已下证 采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 2人

    H01F41/24 H01F41/22 H01F10/20

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    • 专利摘要

    本发明提供了一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法,将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中,搅拌得到均匀的CuFe2O4前驱液,用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高、晶粒尺寸均匀的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,设备要求简单,适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜,且化学组分精确可控。本发明制得的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的饱和磁化强度Ms=110emu/cm3,剩余磁化强度Mr=71emu/cm3,矫顽Hc=810Oe。

    • 专利生命周期
    专利申请:2016-03-29
    授权缴费截止日:2025-04-29
    专利授权日:2017-10-24 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24