发明 2016101881551 一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97-xMn0.03CuxO3-CuFe2O4复合膜及其制备方法 2019
已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人
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一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3‑CuFe2O4复合膜及其制备方法，该复合膜包括上层的Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3(x＝0.01～0.05)晶态膜和下层的CuFe2O4晶态膜。制备时先分别配制Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3前驱液和CuFe2O4前驱液；然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4膜，再在CuFe2O4膜上旋涂制备多层Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3膜，即得到多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97‑xMn0.03CuxO3‑CuFe2O4复合膜。本发明设备要求简单，制备的薄膜均匀性好，掺杂量易控，提高了薄膜的铁电和铁磁性能，有效降低了薄膜的漏电流密度。
