• 专利基本信息
  • 发明 2016101878987 一种2-2型BiFeO3-CuFe2O4复合薄膜及其制备方法 2019

    已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人

    C04B35/26

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    • 专利摘要

    本发明提供了一种2‑2型BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜及其制备方法,先分别配制CuFe2O4前驱液和BiFeO3前驱液;然后在基片上旋涂制备多层CuFe2O4薄膜,再在CuFe2O4薄膜上旋涂制备多层BiFeO3薄膜,即得到BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶法,制备的薄膜均匀性好,且化学组分精确可控,将BiFeO3薄膜与强磁性尖晶石结构的CuFe2O4薄膜复合,得到的BiFeO3‑CuFe2O4复合薄膜的饱和磁化强度Ms为25.8emu/cm3,剩余磁化强度Mr为17.8emu/cm3;同时其介电损耗频谱出现符合麦克斯韦‑瓦格纳介电弛豫;薄膜的漏电流在正向偏压下存在一个电阻滞后现象。

    • 专利生命周期
    专利申请:2016-03-29
    授权缴费截止日:2025-04-29
    专利授权日:2019-07-30 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24