发明 2016102012407 一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法 2018
已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人
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本发明提供了一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法，该薄膜包括复合在一起的CoFe2O4和Bi0.96Sr0.04Fe1‑x‑yMnxCoyO3，x＝0～0.04，y＝0～0.02，且x、y不同时为0。制备时先配制CoFe2O4前驱液和Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜前驱液，然后用旋涂法和逐层退火的工艺在FTO基板上制备磁性CoFe2O4薄膜，再在CoFe2O4上制备Bi0.96Sr0.04FeO3基薄膜，形成高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜。本发明通过离子掺杂和与磁性CoFe2O4薄膜进行复合，大幅度提高了薄膜的介电、铁电和铁磁性能，还有效的降低了薄膜的漏电流密度。
