• 专利基本信息
  • 发明 2018114978944 一种具有高磁性能的YDMO薄膜及其制备方法 2021

    已下证 采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 3人

    C23C18/12 C23C18/04 H01F41/22 H01F41/24

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    • 专利摘要

    本发明提供一种具有高磁性能的YDMO薄膜及其制备方法,化学式为Y1‑xDyxMnO3,其中,x=0.1≤y≤0.5,六方结构,空间群为P63cm。本发明在YMnO3的A位掺杂稀土离子Dy,得到Y1‑xDyxMnO3薄膜,晶胞参数图显示掺杂后晶胞参数a和c发生较大变化,拉曼散射光谱图显示,Dy3+掺杂进入YMnO3晶格替代Y3+,因为Y3+半径为0.89nm,Dy3+半径为0.91nm,在YMnO3中Y3+处于双锥六面体的中间层,中间层的改变会引起双锥六面体顶点的倾斜,改变薄膜内部自旋结构对称性,最终证明掺杂后薄膜内部结构发生畸变,自旋对称性改变,最终使磁性能提高,得到高铁磁性薄膜材料。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-12-07
    授权缴费截止日:2025-01-07
    专利授权日:2021-05-11 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24