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本申请的实施例公开了晶圆级芯片的封装方法及封装体，涉及半导体技术领域。所述方法包括：将晶圆片与支撑载体贴合；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层；去除所述划片槽的底部的所述金属层；在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球。本申请的实施例能够获得相对较薄的晶圆级芯片的封装体，增加了其机械结构强度，平衡了封装体积和封装强度的要求。
