发明 2019800001132 芯片及芯片的制造方法 2023
已下证 半导体技术 芯片制造工艺 1人
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一种芯片及芯片的制造方法。芯片包括芯片本体(10)，芯片本体(10)包括：衬底(101)、器件层(102)和多孔硅结构，器件层(102)位于衬底(101)；多孔硅结构设置于衬底(101)上，多孔硅结构用于与化学开盖溶液反应以破坏芯片本体(10)。所述芯片，作为化学开盖溶液的硝酸与多孔硅结构反应，以破坏芯片本体，防止芯片内存储的信息被破解和窃取，提高芯片的安全性。
