• 专利基本信息
  • 发明 2023118316224 一种半导体器件结构 2024

    已下证 IGBT器件 电力晶体管 半导体器件 (IGBT器件 半导体器件) 1人

    H01L23/473 H01L23/42 H01L23/367

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    • 专利摘要

    本发明属于IGBT器件技术领域,且公开了一种半导体器件结构,包括IGBT模块,固装于所述IGBT模块底部的散热壳,安装于所述散热壳内部的注水组件以及安装于所述IGBT模块顶部且与所述注水组件连通的散热组件,通过注水组件与散热组件对IGBT模块进行热交换。本发明通过记忆金属受到热量收缩,拉动两个支撑板向中部移动,并使接触块与支撑板接触,使水泵通电,通过水泵工作将外部的水注入注水管与散热管内部,由于散热管顶部与IGBT模块底部接触,从而通过散热管内部的水对IGBT模块工作产生的热量进行热交换,水通过对接管进入换热板内部,并通过注水组件与散热组件对IGBT模块进行散热,从而避免IGBT模块通电过程中出现过热现象,从而提高IGBT模块的使用寿命。

    • 专利生命周期
    专利申请:2023-12-27
    授权缴费截止日:2024-09-30
    专利授权日:2024-12-06 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24