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本发明的公开了一种低损耗半导体功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS晶体管的漏极，所述衬底上端配置有第一导电型的外延层；第二导电型的沟道、第二导电型的体区，其中，所述体区至少覆盖在两个相邻所述沟道的上端形成相邻体区，所述体区内配置有第一导电型的源极，所述相邻体区之间的上端配置有栅极；其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有第一PN结，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述第一PN结的阳极与所述栅极连接，所述第一PN结的阴极通过所述第一电阻与所述源极共接。本发明解决了功率器件开关损耗过的技术问题。
