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本发明涉及量子点技术领域，尤其是涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：当量子点发光层沉积后，于70～80℃处理3～5min后，于150～300℃热处理2～30s。本发明通过在量子点发光层沉积后，于特定温度下进行快速热处理，能够避免常规热处理带来的热损伤，同时能有效去除界面残留的溶剂，降低电子传输层与量子点发光层的接触角，提升界面质量，尤其是量子点发光层和电子传输层之间的界面成膜质量，从而能够提高量子点发光二极管的性能并延长使用寿命。
