发明 2020111757383 一种量子点发光二极管及其制备方法 2022
已下证 量子点材料 发光二极管 发光器件 （量子点材料 发光器件） 2人
H01L33/06 H01L33/22 H01L33/26 H01L33/40 H01L33/00
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本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法。量子点发光二极管的制备方法：包括：在阳极衬底上，形成空穴注入层；在所述空穴注入层上，形成空穴传输层；在所述空穴传输层上，形成量子点发光层；在所述量子点发光层上，形成具有多层金属氧化物的电子传输层；所述多层金属氧化物中包括至少两层不同的金属氧化物；在所述电子传输层上，形成金属阴极。该制备方法用以提高量子点发光二极管的性能。
