• 专利基本信息
  • 发明 2020113436955 一种优化发光二极管的方法 2023

    已下证 量子点材料 发光二极管 发光器件 (量子点材料 发光器件) 2人

    H10K71/12 H10K71/15 H10K50/16 H10K50/115 H10K71/40

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    • 专利摘要

    一种优化发光二极管的方法,属于发光二极管领域。发光二极管包括阳极、衬底、空穴传输层、量子点发光二极管、电子传输层以及阴极,其中,电子传输层为金属氧化物材料。在电子传输层中,利用具有活泼的氮元素或氧元素的有机分子在作为电子传输层的基体的金属氧化物材料表面形成氢键,并抑制羟基与羟基脱水缩合反应。其中,有机分子包括N,N‑二甲基苯胺、二苯甲酮或N‑乙烯基吡咯烷酮;其中,金属氧化物材料是纳米颗粒;有机分子和纳米颗粒状态的金属氧化物材料是以共混方式存在于电子传输层。上述方法能够优化发光二极管中的电子和空穴的复合平衡,从而改善其效率和寿命。

    • 专利生命周期
    专利申请:2020-11-25
    授权缴费截止日:2024-12-25
    专利授权日:2023-04-18 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24