• 专利基本信息
  • 发明 2017105646517 一种埋层外延超结二极管及其制作方法 2020

    已下证 二极管 半导体 芯片 (二极管 芯片) 2人

    H01L21/329 H01L29/861 H01L29/06

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    • 专利摘要

    本发明提供了一种埋层外延超结二极管及其制作方法。所述埋层外延超结二极管的制作方法包括:在第一N型外延层形成P型埋层;在所述第一N型外延层表面制作第二N型外延层并形成沟槽;在所述第二N型外延层的沟槽进行P型注入并在所述第二N型外延层形成P型注入区;在所述第二N型外延层表面形成P型外延层,所述P型外延层与所述第二N型外延层的P型注入区相接触;通过退火激活所述第一N型外延层的P型埋层和所述第二N型外延层的P型注入区的注入离子,并且在退火之后所述P型注入区延伸到与P型埋层相接触。本发明提供的埋层外延超结二极管的制作方法工艺简单,可以有效降低器件的制造成本,并提高器件的性能。

    • 专利生命周期
    专利申请:2017-07-12
    授权缴费截止日:2024-08-12
    专利授权日:2020-12-04 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24