• 专利基本信息
  • 发明 2018110888332 一种Mn掺杂调控电阻开关效应的复合薄膜及其制备方法 2021

    已下证 3人

    C03C17/34

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    • 专利摘要

    本发明提供一种Mn掺杂调控电阻开关效应的复合薄膜及其制备方法,包括复合在一起的上层膜和底层膜;上层膜的化学式为Bi0.88Gd0.09Sr0.03Fe0.94Mn0.04Co0.02O3,为多晶扭曲钙钛矿结构,空间群为R3c;底层膜的化学式为Co1‑xMnxFe2O4,为立方反尖晶石结构、空间群为Fd3m,其中,x=0.1~0.7。先采用溶胶‑凝胶法旋涂法和层层退火的工艺制备了Co1‑xMnxFe2O4薄膜,再用旋涂法和层层退火的工艺制备BGSFMC薄膜,形成了BGSFMC/C1‑xMxFO复合薄膜。本发明的复合薄膜在增加了铁磁性的同时,仍有较好的铁电性和电阻开关效应。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-09-18
    授权缴费截止日:2024-10-18
    专利授权日:2021-10-29 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24