• 专利基本信息
  • 发明 2017105119307 开关性能稳定的功率器件 2020

    已下证 半导体 功率器件 (半导体 功率器件) 2人

    H01L27/088

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    • 专利摘要

    本发明的公开了一种开关性能稳定的功率器件包括:第一导电型的衬底,其底端配置器件漏极,所述衬底上端配置有外延层;第二导电型的沟道、第二导电型的体区,体区内配置有器件源极和器件栅极;其中,所述沟道中存在第一独立沟道、第二独立沟道以及第三独立沟道,所述第一独立沟道上部配置有第一金属‑氧化物半导体场效应管,所述第二独立沟道上部配置有第二金属‑氧化物半导体场效应管,所述外延层上端绝缘配置有第一电阻和第二电阻,第一、第二金属‑氧化物半导体场效应管作为导流回路连接在功率器件中。本发明解决了功率器件开关性能不稳定的技术问题。

    • 专利生命周期
    专利申请:2017-06-27
    授权缴费截止日:2025-07-28
    专利授权日:2020-06-23 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24