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本发明的公开了一种抗电磁干扰的功率器件包括：第一导电型的衬底，其底端配置有MOS功率器件的第一漏极，所述衬底上端配置有外延层；第二导电型的沟道；第二导电型的体区，其内设置有第一源极，所述相邻体区之间的上端配置有第一栅极；其中，所述沟道中至少存在两个未被所述体区覆盖的第一独立沟道和第二独立沟道，所述第一独立沟道上部配置有金属‑氧化物半导体场效应管，所述外延层上端绝缘配置有第一电阻，所述金属‑氧化物半导体场效应管的第二漏极和第二栅极同时与所述第一栅极连接，所述金属‑氧化物半导体场效应管的第二源极通过所述第一电阻与所述第一源极共接。本发明解决了功率器件易受电磁干扰的技术问题。
