• 专利基本信息
  • 发明 2017105646822 瞬态电压抑制器及其制作方法 2019

    已下证 电压抑制器 半导体芯片 电路保护 4人

    H01L27/02 H01L29/866 H01L21/329

    • 联系人列表
    • 12-19
    • 12-05
    • 10-15
    • 08-26

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    • 专利摘要

    本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的P型外延层、形成于所述P型外延层中的P型隔离阱、形成于所述P型外延层表面的N型掺杂区域、及形成于所述N型掺杂区域表面的第一P型掺杂区域及第二P型掺杂区域,其中所述第一P型掺杂区域与所述第二P型掺杂区域位于所述N型掺杂区域的两端,所述第一P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第一齐纳二极管,所述第二P型掺杂区域与所述N型掺杂区域形成第二齐纳二极管。所述瞬态电压抑制器具有器件面积小,工艺难度低,制造成本低、保护特性和可靠性较高的优点。

    • 专利生命周期
    专利申请:2017-07-12
    授权缴费截止日:2024-08-12
    专利授权日:2019-08-06 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24