• 专利基本信息
  • 发明 2021104850912 一种电容传感器及其制作方法 2021

    已下证 电容触控 电子设备设计 2人

    G01D5/24 G01D11/00 G01D11/24 C23C16/44

    • 联系人列表
    • 12-05
    • 08-26

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    • 专利摘要

    本申请涉及传感器领域,尤其涉及一种电容传感器及其制作方法。一种电容传感器,其特征在于,包括多个并排设置的像素单元,像素单元包括硅衬底、结构层和钝化层;结构层设置于硅衬底的上表面,结构层包括顶层金属层和介质层;介质层设置于顶层金属层的下方,钝化层设置于结构层的上表面;顶层金属层设置一个或多个通孔,通孔为圆形;钝化层设置一个或多个凹槽,凹槽的对称轴与通孔的对称轴重合。通过在像素单元的顶层金属层设置圆形通孔,改善了由于湿热环境导致的芯片失效的问题。

    • 专利生命周期
    专利申请:2021-04-30
    授权缴费截止日:2025-05-30
    专利授权日:2021-11-02 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24