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本发明提供了一种霍尔传感器及其制作方法，包括P型衬底以及位于所述P型衬底上的N阱有源区、P型覆盖层、引出电极和至少四个接触孔；所述P型覆盖层和所述引出电极位于所述N阱有源区的中间区域；所述引出电极覆盖所述P型覆盖层，且分布在所述P型覆盖层的中间区域；所述至少四个接触孔分布在所述N阱有源区的四周，且分别位于所述引出电极的至少四个叉指的外端。因此，在霍尔传感器工作时，能够在N阱有源区和P型覆盖层之间产生耗尽层，从而可以有效减少热载流子效应，改善N阱有源区杂质的高斯分布，增加有效的N阱深度，降低N阱杂质浓度，进而可以提高霍尔器件的灵敏度。
