• 专利基本信息
  • 发明 2019104629087 以二噻吩并吡咯为分子中心的给-受-给-受-给型齐聚噻吩衍生物及其制备方法 2021

    已下证 太阳能电池 太阳能光伏材料 光电转换材料 半导体材料 薄膜材料 1人

    C07D519/00 H01L51/50 H01L51/54 H01L51/05 H01L51/30 H01L51/42 H01L51/46

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    • 12-05

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    • 专利摘要

    以二噻吩并吡咯为分子中心的给‑受‑给‑受‑给型齐聚噻吩衍生物,化学结构式如式Ⅰ所示:;合成步骤为:由2,6‑二(三甲基锡)‑N‑异辛基二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯与4,7‑二溴‑[1,2,5]噻二唑并[3,4‑c]吡啶反应合成中间体(2,6‑二{4‑(7‑溴‑[1,2,5]噻二唑并[3,4‑c]吡啶)}‑N‑异辛基二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯);再与2‑(三甲基锡)‑5‑(4‑正己基苯基)噻吩反应得到目标齐聚噻吩衍生物;具有窄的带隙和较低的HOMO能级、良好的溶解性和成膜性,有望作为有机半导体材料,应用于有机薄膜场效应三极管,有机发光二极管和有机太阳能电池器件的制备。

    • 专利生命周期
    专利申请:2019-05-30
    授权缴费截止日:2025-06-30
    专利授权日:2021-11-16 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24