• 专利基本信息
  • 发明 2018108842538 一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法 2020

    已下证 太阳能电池 太阳能光伏材料 光电转换材料 半导体材料 发光二极管OLED 1人

    C07D495/14 C09K11/06 H01L51/54 H01L51/46

    • 联系人列表
    • 12-05

    免责声明:以上消息未经人工确认,本平台不担保其真实性和有效性,交易前请仔细核实。

    • 专利摘要

    本发明公开了一种以二噻吩并吡咯为给电子中心的齐聚噻吩衍生物及其制备方法,通过Stille交叉偶联反应,将中间体3‑溴‑7‑[5‑(4‑正己基苯基)‑2‑噻吩基]二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物与中间体2,6‑二(三甲基锡)‑N‑(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯键联,合成了一种以(1,5‑二甲基己基)二噻吩并[3,2‑b:2',3'‑d]吡咯给电子单元为分子中心,以己基苯基噻吩基为端基给电子单元,以S,S‑二氧‑二苯并噻吩为嵌入受电子单元的给‑受型齐聚噻吩衍生物。该齐聚物的HOMO能级较低、能隙适中、热稳定性好、分子间存在一定的π‑π相互作用,是一种潜在的有机半导体新材料。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-08-06
    授权缴费截止日:2024-09-06
    专利授权日:2020-04-21 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24