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本发明公开了一种以S,S‑二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法；在惰性气氛中，将2‑(三甲基锡)‑5‑(4‑正己基苯基)噻吩(1)，3,7‑二溴‑S,S‑二氧‑二苯并噻吩(2)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物；将3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物，中间体2,6‑二(三甲基锡)‑4,8‑二(2‑乙基己氧基)苯并[1,2‑b:4,5‑b’]二噻吩(3)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到齐聚噻吩衍生物有机半导体材料；其具有较低的HOMO能级和合适的光学带隙，应用于有机发光二极管和有机太阳能电池器件制备的新材料。
