• 专利基本信息
  • 发明 2016109672709 一种聚吡咯膜的制备方法及其超级电容性能 2018

    已下证 1 3人

    C08L79/04 C08J5/18 H01G11/48

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    • 12-05
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    • 09-19

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    • 专利摘要

    本发明涉及一种聚吡咯膜及其制备方法和应用,所述聚吡咯膜在波长为320、440、463和540 nm处有吸收峰;所述聚吡咯膜的红外光谱的特征吸收,为1545 cm–1、1466 cm–1、1305 cm–1、1182 cm–1、1092 cm–1、1043 cm–1、915 cm–1、787 cm–1、和678 cm–1。本发明还提供所述聚吡咯膜的制备方法。聚吡咯膜的用途,用于工作电极和超级电容器。本发明所合成的大尺寸、自持聚吡咯薄膜,不仅适合于研究聚吡咯膜的力学、电子学和光学等基本物化性质;而且方便裁剪,适用于组装柔性超级电容器或电池。

    • 专利生命周期
    专利申请:2016-10-28
    授权缴费截止日:2024-11-28
    专利授权日:2018-11-30 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24