• 专利基本信息
  • 发明 2018111677856 一种浮地型分数阶忆阻器的等效电路及其使用方法 2022

    已下证 1人

    G06F30/30

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    • 12-05

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    • 专利摘要

    本发明涉及一种浮地型分数阶忆阻器的等效电路及其使用方法。其技术方案是:浮地型分数阶忆阻器的等效电路施加激励电压v(t)后通过放大模块(8)、压控移相器(6)、频率/电压转换器(23)等23个模块的作用,能精确模拟分数阶忆阻器的电气特性且精度高,同时能保证通过浮地型分数阶忆阻器的等效电路的端子A和端子D的电流相等;引入的分数阶忆阻器阶次的控制信号α'能改变分数阶忆阻器的阶次,引入的分数阶忆阻器状态变量初始值的控制信号x0'能改变分数阶忆阻器状态变量的初始值。浮地型分数阶忆阻器的等效电路的分数阶阶次和分数阶忆阻器状态变量初始值调整方便和易于控制,使用时等效电路的端子A和端子D都能与其他电路中的元件进行任意连接。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-10-08
    授权缴费截止日:2024-11-08
    专利授权日:2022-12-02 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-25