• 专利基本信息
  • 发明 2022111057703 一种分层结构MoTe2/C纳米花、制备方法及其应用(需要二次变更) 2024

    已下证 微纳米材料 二碲化钼 钼基二维 光热转化材料 电极材料 2人

    C01B19/04 C01B32/15 B82Y40/00 B82Y30/00 H01M4/58 H01M4/62 H01M4/04 H01M10/054

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    • 12-05
    • 09-24

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    • 专利摘要

    本发明公开了一种分层结构MoTe2/C纳米花、制备方法及其作为应用,属于微纳米材料合成领域。本发明的制备方法以成本较低的钼源、碲源作为反应原料,通过简便的液相搅拌、煅烧,制备出MoTe2/C纳米材料。本发明原料易得,工艺简单,成本较低,适合工业化生产,应用前景广阔。本发明的制备方法,通过改变反应参数可以对MoTe2/C纳米材料的尺寸进行调控,制备出的MoTe2/C纳米材料形貌特征鲜明,具有独特的分层结构纳米花形状,作为钠离子电池负极材料,具有较好的电化学性能。

    • 专利生命周期
    专利申请:2022-09-09
    授权缴费截止日:2024-05-06
    专利授权日:2024-11-05 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24