• 专利基本信息
  • 发明 2017114293162 用于气相沉积的喷头 2020

    已下证 半导体工艺 芯片 晶圆薄膜沉积均匀 【半导体设备工艺 布气系统】 4人

    C23C16/455

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    • 专利摘要

    本公开涉及半导体工艺领域的气相沉积设备以及用于气相沉积的喷头。其中一个实施例提供了一种用于气相沉积的喷头,其中,所述喷头包括多个孔;并且位于所述喷头的边缘区域的孔向所述喷头的外部倾斜。还提供了一种气相沉积设备,其包括:用于气相沉积的喷头;加热器,所述加热器位于所述喷头的正下方;以及支撑轴,所述支撑轴支撑所述加热器。

    • 专利生命周期
    专利申请:2017-12-26
    授权缴费截止日:2025-01-27
    专利授权日:2020-07-14 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-25