• 专利基本信息
  • 发明 201810485537X 基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法 2020

    已下证 微纳米 微机电 谐振器 半导体材料 (微纳米 2人

    B23K26/55

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    • 12-05
    • 10-15

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    • 专利摘要

    本发明公开了基于激光超声技术的硅基内部微结构成型的控制方法。该方法包括如下步骤:步骤一:将硅基置于在实验台架上,调节激光的入射角度;步骤二:打开激光发射器,完成一次聚焦点部位的加工;步骤三:重复步骤二,使其能够加工硅基内部空腔的不同位置,达到加工复杂空腔的目的。本发明利用激光激发超声波加工硅基材料内部,方法简单,操作难度低,且加工过程清洁无污染。

    • 专利生命周期
    专利申请:2018-05-21
    授权缴费截止日:2025-06-23
    专利授权日:2020-04-24 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-25