• 专利基本信息
  • 发明 2013104127153 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法 2017

    已下证 3人

    H01L31/055 H01L31/18 B82Y40/00

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    • 专利摘要

    一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法,属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁,利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构,利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒,利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔-硅纳米线复合双结构,利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内,其表面反射率降低到4%以下,且经过表面化学修饰后,表面接触角大于150°。

    • 专利生命周期
    专利申请:2013-09-11
    授权缴费截止日:2024-10-11
    专利授权日:2017-02-01 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24