• 专利基本信息
  • 发明 2021115658343 一种D-A-D型有机半导体材料及其制备方法和应用 2023

    已下证 太阳能电池 光伏电池 有机半导体 (太阳能电池 有机半导体) 2人

    C07D495/14 H10K30/86 H10K85/60

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    • 专利摘要

    本发明涉及有机半导体技术领域,具体公开了一种D‑A‑D型有机半导体材料及其制备方法和应用。本发明通过吩嗪与噻吩稠合构建出缺电子特性的五元稠环,再将其与三苯胺外围修饰基团偶联,设计合成出一种D‑A‑D型有机半导体材料。该有机半导体材料合成路线简单,成本低廉,适合大量生产。同时分子中的多氮、硫原子特征,能够增强分子与钙钛矿层的界面作用,提高空穴提取效率。以其作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中时,电池的光电转化效率超过19%,且表现优异的器件稳定性能,具有重要的应用前景。

    • 专利生命周期
    专利申请:2021-12-20
    授权缴费截止日:2025-01-20
    专利授权日:2023-04-07 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24