• 专利基本信息
  • 发明 2019109976337 一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料的制备 2021

    已下证 高校未变 化学 冶金 镉化合物 荧光探测 3人

    C07F3/08 C09K11/06 G01N21/64

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    • 专利摘要

    本发明公开了一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2‑OAc)2]·tpphz·2H2O}n的制备。将四吡啶并[3,2‑a:2′,3'‑c:3″,2″‑h:2″′,3″′‑j]吩嗪、硝酸镉、对苯二甲酸加入到水和N,N‑二甲基乙酰胺中搅拌制得稳定悬浮液,将该悬浮液置于密闭的反应釜中加热反应,然后缓慢降温至室温,产物经过滤、洗涤、干燥即得到发光晶体材料。本发明的优点是:获得一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料{[Cd2(tpphz)(bdc)(μ2‑OAc)2]·tpphz·2H2O}n。

    • 专利生命周期
    专利申请:2019-10-21
    授权缴费截止日:2024-11-21
    专利授权日:2021-08-03 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24