| 符合条件的8条专利数据 | 更新时间 | |
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发明 2017102539477 一种HoSrMnNi共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017102539636 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017102543260 一种HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 201710254342X 一种GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017102547045 一种LaSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 201710254712X 一种LaSrMnCo/GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 3人 |
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发明 2017102559837 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 已下证 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 3人 |
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发明 2017102539621 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法 已下证 功能材料 复合薄膜 半导体材料 磁性材料 （功能材料 2人 |