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本发明涉及一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括源极接触区、栅源隔离氧化层、栅氧化层、栅极接触区、场氧化层、漏极接触区、源极P+区、源极、漏极、P-body、N型漂移区、埋氧层、衬底、低阻N型电子通道和超结区；低阻N型电子通道左边紧邻P-body右侧上部，右边靠近漏极的左侧，上方从左至右依次靠近栅氧化层下方的右侧部分和场氧化层的下方，下方与超结区接壤；超结区左侧紧邻P-body右侧下部，右侧紧邻N型漂移区，下方紧邻埋氧层。本发明在提高漂移区浓度，降低Ron,sp的同时，还能增加击穿电压。
