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本发明公开了一种氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结忆阻器的制备方法,具体包括如下步骤:步骤1,制备氧化镍凝胶薄膜;步骤2,在步骤1制备的氧化镍凝胶薄膜上制备氧化钛凝胶膜,得氧化钛/氧化镍基片;步骤3,在步骤2所得氧化钛/氧化镍基片上陈化氧化镍凝胶薄膜,得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜;步骤4,使用溅射仪对步骤3所得的氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜进行顶电极制备,即得。使用本发明的制备方法可以在ITO底电极上一次性制得氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结薄膜,制备成本低、工艺简单、容易控制,提高了氧化镍/氧化钛/氧化镍多层异质结的制备效率。