发明 2018108408271 一种ZnO纳米花及其制备方法 2020
已下证 半导体 传感器 氧化锌 电池材料 1人
C01G9/02
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本发明公开了一种ZnO纳米花及其制备方法。所述ZnO纳米花经过醋酸锌、碳酸锌混合溶液的制备，醋酸锌、碳酸锌混合薄膜的制备以及高温烧结三步制备完成。本发明所述ZnO纳米花呈现三维网络结构，可以在多种大尺寸衬底上实现可控生长，衬底包括玻璃、Si、蓝宝石、金属，有利于降低生产成本，而且制造设备简单，工艺成熟，方便规模化生产，本发明所述ZnO纳米花适用范围广，有望在光电探测器、气敏探测器和太阳能电池等领域发挥积极作用。
