• 专利基本信息
  • 发明 2019100850583 一种中空MoS2微球的制备方法及其应用 2021

    已下证 高校未变 光催化 光学 电学 磁学 3人

    C01G39/06 B01J20/02 B01J20/30 B01J27/051

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    • 专利摘要

    本发明提供了一种表面多孔结构的大尺寸中空MoS2微球及其制备方法和应用。本发明先采用水热法制备大尺寸的Cu‑Fe2O3微球,然后以该微球为模板通过水热法在其表面垂直生长MoS2层状纳米片,最后将得到的复合材料通过腐蚀液刻蚀的方法去除内部的模板,得到具有大尺寸的中空MoS2微球。实施例的结果表明,本发明能够制备得到表具有较大尺寸的中空微球,粒度分布1~30μm;中空微球表面是超薄纳米片组装的多孔结构,具有丰富的孔道结构,孔的尺寸为2~500nm的介孔及大孔,壳层厚度可以在5~500nm之间进行调节。本发明制备的MoS2材料尺寸较大,纳米片状二硫化钼垂直生排列形成了三维多孔的结构,在催化、光/电催化、吸附、气敏传感、润滑等领域都有较优异的性能。

    • 专利生命周期
    专利申请:2019-01-18
    授权缴费截止日:2025-02-18
    专利授权日:2021-03-09 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-24