符合条件的2条专利数据 | 更新时间 | |
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发明 2020106579051 一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件 未下证 半导体技术 功率半导体器件 电压控制 高压集成电路 微电子技术 1人 |
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发明 2017105646517 一种埋层外延超结二极管及其制作方法 已下证 二极管 半导体 芯片 (二极管 芯片) 2人 |