• 专利基本信息
  • 发明 2016110969716 一种可编程熔丝结构 2019

    已下证 芯片封装  半导体 2人

    H01L23/525

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    • 12-16
    • 09-30

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    • 专利摘要

    本发明提供了一种可编程熔丝结构,包括:衬底;在所述衬底上表面的浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述衬底的上表面;位于浅沟槽隔离结构中的一可编程熔丝,所述可编程熔丝包括两第一电极、分别连接两第一电极的两个第一垂直部分以及连接两个第一垂直部分的第一水平部分;其中,两第一电极位于所述浅沟槽隔离结构的上表面的两端,两个第一垂直部分沿着所述浅沟槽隔离结构的深度方向具有第一长度,所述第一水平部分被浅沟槽隔离结构的隔离材料覆盖,且在所述浅沟槽隔离结构中具有第一深度。

    • 专利生命周期
    专利申请:2016-12-02
    专利授权日:2019-02-05 00:00:00.0
    最近更新时间:2024-12-25